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Programmieren und Löschen von EEPROMs

Das Floating-Gate ist hochislierend. Dadurch bleibt die Ladung für Lange Zeit erhalten.

Programmierung:

Die Programmierspannung UP wird intern mit einer Spannungsvervielfacherschaltung auf 40V gebracht. In dem starken elektrischen Feld erfolgt eine Elektronenwanderung vom Floating Gate zum Drain. Das Floating-Gate verarmt an Elektronen und wird dadurch positiv geladen. Nach Wegnahme der Programmierspannung bleibt ein elektrisches Feld zwischen Floating-Gate und Substrat bestehen.

Dadurch bildet sich in der obersten Substratzone eine n-leitende Brücke. Der Transistor wird zwischen S und D niederohmig, d.h. er hat duchgeschaltet. Der Speicherinhalt ist digital '0'.

Löschen:

Zum Löschen wird die Spannung zwischen Drain und Substrat umgekehrt. Die Löschspannung UL erzeugt ein umgekehrtes elektrisches Feld. Die Elektronen wandern in das Floating-Gate zurück. Die Löschspannung bleibt so lange erhalten, bis das Floating-Gate negativ geladen ist. Die n-leitende Brücker verschwindet. Der Transistor wird zwischen D und S hochohmig, d.h. er ist gesperrt. Der Speicherinhalt ist digital '1'.